中国报告大厅网讯，——全球200余名专家共聚天津研讨三维集成技术 助推先进制程升级
【行业聚焦】在AI算力需求激增、摩尔定律逼近物理极限的背景下，2025年全球半导体产业迎来关键转折点。根据最新数据显示，低温键合3D集成技术作为延续芯片性能提升的核心路径，正成为各国政策扶持重点。中国半导体行业协会统计显示，2024年中国先进封装市场规模已达186亿美元，同比增长27%，其中三维集成技术投资占比突破45%。在此背景下，2025年8月3-4日于天津举办的国际低温键合3D集成技术研讨会（LTB-3D 2025），以"技术创新与产业协同"为核心议题，吸引了来自英国、新加坡等6国200余位专家及企业代表参与，共同探索半导体制造新范式。
一、半导体技术突破与政策支持：低温键合3D集成研讨会的全球影响力
本次会议由中科院微电子研究所等六家机构联合主办，汇聚了包括20所国际顶尖高校和10余家行业龙头企业的研发力量。数据显示，本届大会共设置六大核心议题，覆盖表面活化键合、混合键合工艺、新型材料开发等领域，通过主旨报告、技术展览等形式输出超30项创新成果。值得注意的是，这是该系列会议创办18年来首次在中国举办，标志着中国在半导体先进封装领域的国际话语权显著提升。
二、半导体产业政策驱动：低温键合技术成为全球研发焦点
研讨会上展示的最新数据显示，采用低温键合工艺的三维集成芯片良率已突破92%，较传统方案提升30%以上。与会专家指出，在各国政府推动下，该技术正加速产业化进程：美国CHIPS法案为相关材料研发提供15亿美元补贴；欧盟"地平线计划"将异质集成列为优先领域；中国《集成电路产业高质量发展行动计划》明确要求2026年前建成3个国家级三维封装创新中心。这些政策红利推动全球低温键合设备市场规模在2024年达到8.7亿美元，预计未来三年复合增长率将超35%。
三、半导体材料与工艺革新：新型键合技术突破应用边界
会议重点探讨了原子扩散键合、翻转3D（F3D）等前沿技术。实验数据显示，采用表面活化室温键合方案的功率器件导通电阻降低40%，同时实现晶圆级封装厚度缩减至5微米以下。在异质集成领域，氮化镓与碳化硅融合工艺使射频芯片性能提升2倍，相关成果已应用于6英寸量产线。设备厂商展出的最新超声键合机台，将对准精度控制在±1μm以内，配合智能检测系统可减少30%的生产损耗。
四、半导体产业链协同：产学研用深度融合加速技术转化
本届会议参展企业覆盖金刚石材料、键合设备等全产业链环节。统计显示，参会企业中45%已启动低温键合产线建设，28家企业与研究机构签署联合研发协议。特别在AI芯片领域，采用3D混合键合的边缘计算模组，在2024年实现量产并进入自动驾驶市场。产业代表透露，预计到2026年将有超过15条晶圆级三维封装产线投入运营，形成千亿级市场规模。
【趋势展望】随着各国半导体政策持续加码，低温键合3D集成技术正从实验室走向规模化应用。数据显示，该技术可使芯片堆叠层数突破8层极限，为7nm以下先进制程提供成本可控的解决方案。预计到2030年，三维集成技术将贡献全球芯片性能提升的65%，成为半导体产业跨越"后摩尔时代"的核心引擎。此次天津会议不仅展现了中国在该领域的创新实力，更通过国际协同研发机制，为构建开放包容的半导体生态注入新动能。（数据来源：会议官方统计及行业公开资料）
